Mehrad, Mahsa, Zareiee, Meysam. (1401). A Reliable LDMOS Transistor Based on GaN and Si3N4 Windows in Buried Oxide. فیزیولوژی و بیوتکنولوژی آبزیان, 2(2), 291-297. doi: 10.22124/cse.2023.23833.1049
Mahsa Mehrad; Meysam Zareiee. "A Reliable LDMOS Transistor Based on GaN and Si3N4 Windows in Buried Oxide". فیزیولوژی و بیوتکنولوژی آبزیان, 2, 2, 1401, 291-297. doi: 10.22124/cse.2023.23833.1049
Mehrad, Mahsa, Zareiee, Meysam. (1401). 'A Reliable LDMOS Transistor Based on GaN and Si3N4 Windows in Buried Oxide', فیزیولوژی و بیوتکنولوژی آبزیان, 2(2), pp. 291-297. doi: 10.22124/cse.2023.23833.1049
Mehrad, Mahsa, Zareiee, Meysam. A Reliable LDMOS Transistor Based on GaN and Si3N4 Windows in Buried Oxide. فیزیولوژی و بیوتکنولوژی آبزیان, 1401; 2(2): 291-297. doi: 10.22124/cse.2023.23833.1049


سامانه مدیریت نشریات علمی. قدرت گرفته از سیناوب